PRESS RELEASE

次世代メモリー技術の実用化に向けた取り組みがNEDOの研究開発助成事業に採択

～早期実用化に向けた研究開発の加速を目的に、資金調達を実施～

2026年4月22日

SAIMEMORY株式会社

ソフトバンク株式会社の子会社であるSAIMEMORY株式会社（サイメモリ、本社：東京都港区、代表取締役社長 兼 CEO：山口秀哉、以下「SAIMEMORY」）は、インテル株式会社（以下「インテル」）と共同で推進する次世代メモリー技術の研究開発プロジェクト「高密度・広帯域・低消費電力 ZAM（Z-Angle Memory）の開発（以下「本プロジェクト」）」が、NEDO（国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構）が公募した「ポスト5G情報通信システム基盤強化研究開発事業／先端半導体製造技術の開発（助成）」の研究開発テーマである「高メモリ密度・広帯域・低消費電力な革新的メモリの製造技術開発」に採択されましたのでお知らせします※1

本プロジェクトでは、SAIMEMORY を代表事業者として、インテルを共同実施者、国立研究開発法人理化学研究所（以下「理研」）を共同研究先とする体制の下、日本発の次世代メモリー技術であるZAMの実用化に向けた研究開発を推進します。その中核技術として、配線を使用せずに磁界で接続する「磁界結合無線通信 I/O」を備えた「垂直ビルド（Z-Angle）」構造を世界で初めて※2採用することで放熱性能を向上させ、現行のメモリー技術が抱える積層数による制約の解決に取り組みます。これにより、メモリーの容量拡大、データ転送帯域幅の向上、および低消費電力化を同時に実現し、AI計算基盤のさらなる高度化に貢献します。

また SAIMEMORY は、次世代メモリー技術の早期実用化に向けた研究開発の加速を目的として、富士通株式会社、株式会社日本政策投資銀行、理研およびソフトバンク株式会社を引受先として、シリーズAラウンドの資金調達を実施しました。SAIMEMORYは、この資金を生かして、ZAM の商用化およびメモリーメーカーなどへの技術ライセンスの提供を見据え、研究開発を推進していきます。

SAIMEMORY の代表取締役社長 兼 CEOである 山口秀哉は、次のように述べています。
「本プロジェクトが NEDO 事業に採択されたことは、日本発の次世代メモリー技術を世界に示す重要な一歩であると受け止めています。次世代メモリー技術『ZAM』は、AI 時代に求められる性能と電力効率の両立を実現する革新的なアーキテクチャーです。本プロジェクトを共に推進するインテルや理研、資金面でご支援いただく皆さまをはじめとする国内外のパートナーとの連携によって、日本の半導体産業の国際競争力強化に貢献していきます」

SAIMEMORY プレスリリース（2026年4月22日）